Systèmes d’inspection optique avancés pour les semi-conducteurs à grande bande interdite
Identification des défauts cristallins localisés et des mécanismes de claquage physique
Le GaN s’impose rapidement comme un semiconducteur à grande bande interdite de premier plan pour l’électronique de puissance et de haute fréquence de nouvelle génération. Son champ électrique critique et sa vitesse de saturation des électrons exceptionnellement élevé en font une option attrayante pour la fabrication de dispositifs miniaturisés plus économes en énergie. Cependant, pour exploiter pleinement le potentiel de performance de ces composants, il est indispensable de comprendre en détail comment les défauts cristallins, la géométrie de la terminaison de jonction et les dommages induits par les radiations affectent la distribution du champ électrique local et le comportement de recombinaison.
La technologie de cartographie hyperspectrale de Photon etc. offre aux chercheurs travaillant sur le nitrure de gallium (GaN) un outil de diagnostic sophistiqué et non destructif qui dépasse de loin les capacités de l’imagerie EL conventionnelle à longueur d’onde unique. En capturant les signatures spectrales uniques des matériaux à grande bande interdite dans la gamme allant de l’UV au visible, la plateforme IMA™ permet d’identifier et de classifier avec précision diverses populations de défauts, y compris les sites de porteurs chauds et les dislocations dans les diodes PiN. Cette clarté spatiale et spectrale permet aux scientifiques de localiser avec précision les zones de claquage sous contrainte de haute tension et d’évaluer comment les modifications de la conception physique, telles que les variations de l’épaisseur de l’anode, influencent la stabilité globale du dispositif.
Du tri initial des composants aux évaluations de la dégradation à long terme et de la tolérance aux radiations, Photon etc. donne aux chercheurs les moyens de visualiser les propriétés physiques complexes des dispositifs en GaN avec un niveau de détail inégalé.
