Systèmes de caractérisation avancés pour le développement de l’arséniure de gallium-indium

Résolution spatiale des variations de bande interdite et des défauts localisés dans les structures d’alliages

L’InGaAs est un matériau fondamental de la photonique proche infrarouge et des cellules solaires photovoltaïques multijonctions à haute efficacité, prisé pour sa bande interdite accordable, sa grande mobilité électronique et sa sensibilité spectrale dans la gamme NIR. Cependant, sa flexibilité de composition représente également son plus grand défi, car de subtiles variations de la stœchiométrie de l’alliage et des défauts localisés peuvent dégrader la performance des composants d’une manière que les outils conventionnels peinent à résoudre.

Le filtre laser accordable en ligne (LLTF) de Photon offre un rejet hors bande de premier plan, ce qui en fait l’outil de choix pour la détermination de la bande interdite et l’étalonnage de la réflectivité spectrale des nouvelles compositions d’InGaAs présentant des caractéristiques spectrales subtiles ou superposées. Pour la caractérisation au niveau des composants, nos systèmes d’imagerie hyperspectrale IMA et Grand-EOS fournissent des techniques avancées de cartographie de la photoluminescence, telles que la cartographie du QFLS, du PLQY et de l’Eg, afin de résoudre spatialement les gradients de composition de l’alliage et les sites de recombinaison induits par les défauts. Grâce à une résolution exceptionnelle limitée par la diffraction et à une imagerie de zone en mode fixe, ils établissent la norme pour la recherche de haute précision sur l’InGaAs.